Seminar Vật liệu 2D và các ứng dụng tiềm năng

1/30/2019 5:00 PM

Ngày 30/01/2019, tại phòng 319 nhà C1 – Trường Đại học Phenikaa, Viện Nghiên cứu Tiên tiến Phenikaa, Viện nghiên cứu và Công nghệ Phenikaa đã tổ chức buổi seminar về Vật liệu 2D và các ứng dụng tiềm năng. Buổi hội thảo cũng có sự tham dự của TS. Lê Trường Sơn Viện Nghiên cứu Theiss & Viện Tiêu chuẩn và Công nghệ Quốc gia (NIST), Gaithersburg, Maryland, Hoa Kỳ.

Tại Hội thảo, TS. Lê Trường Sơn đã trình bày bài báo cáo với chủ đề “Vật liệu 2D và các tiềm năng ứng dụng trong topological qbit và cảm biến sinh học siêu nhạy”, nội dung của báo cáo đề cập tới những nghiên cứu mới của graphene và các vật liệu 02 chiều.

TS. Lê Trường Sơn trình bày bài báo cáo tại Hội thảo

Graphene và các vật liệu 02 chiều đã và đang tạo ra những xu hướng nghiên cứu mới. Các nhà khoa học đã nghiên cứu thực nghiệm sự tương tác của các trạng thái cạnh Landau (LLs) được lượng tử hóa tại lớp tiếp xúc p-n giữa graphene và các điểm giới hạn biên.

Với cấu hình tĩnh điện tiếp giáp PN thích hợp, các nhà nghiên cứu có thể tách trạng thái cạnh LL thấp nhất khỏi trạng thái cạnh LLs cao hơn. Tuy nhiên, ở cạnh vật lý của graphene, tất cả các trạng thái cạnh LL đều tương tác mạnh với nhau dẫn đến sự cân bằng hoàn toàn thế năng hóa học của các trạng thái biên LLs đó. Kết quả này đóng một vai trò quan trọng trong việc thiết kế và chế tạo các tiêu chuẩn kháng lượng tử có thể mở rộng trong tương lai tại NIST. Khả năng hiểu và điều khiển sự tương tác của các trạng thái cạnh LL trong graphene cũng giúp nỗ lực chế tạo thiết bị chuyển đổi graphene hiệu suất cao và tôplogical qbit theo suy đoán khi kết hợp LL graphene với chất siêu dẫn.

Theo một hướng khác, các nhà khoa học đã chế tạo và đặc trưng các transistor hiệu ứng trường 2D-MoS2 được điều chế bằng chất lỏng ion (2D-ILFE) hoạt động ở giới hạn điện dung lượng tử của vật liệu kênh 2D. Các thiết bị này được sử dụng để đo pH với độ nhạy cao (~ 75 lần so với giá trị Nernst là 59 mV / pH) và độ ồn thấp (~ 2 bậc độ lớn tín hiệu so với nhiễu so với FET siêu nhậy với ion) ở nhiệt độ phòng. Hiệu suất thiết bị cao này trong cảm biến pH được cho là do sự ghép điện dung không đối xứng lớn giữa cổng chất lỏng ion trên cùng và cổng silicon dưới cùng với kênh bán dẫn 2D.

Buổi Hội thảo cũng đã thu được những cơ hội hợp tác, trao đổi sinh viên trong nghiên cứu khoa học và đào tạo giữa NIST với Trường Đại học Phenikaa, viện PIAS và PRASTI.

Nguồn: phenikaa-uni.edu.vn